Описание
MOSFET, amp; Драйверы затвора IGBT, верхняя и нижняя стороны, Infineon
ИС драйверов затвора от Infineon для управления силовыми устройствами MOSFET или IGBT в конфигурациях высокого и низкого уровня.
Технические параметры
| Конфигурация | half-bridge |
| Тип канала | независимый |
| Кол-во каналов | 2 |
| Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
| Напряжение питания, В | 10…20 |
| Логическое напряжение (VIL), В | 6 |
| Логическое напряжение (VIH), В | 9.5 |
| Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 2.5 |
| Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 2.5 |
| Тип входа | инвертирующий |
| Максимальное напряжение смещения, В | 500 |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 25 |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 17 |
| Рабочая температура, °C | -40…+150(TJ) |
| Корпус | dip-14(0.300 inch) |
| Вес, г | 1.9 |
Подробнее в Datasheet ниже.
Где купить Микросхема IRS2110PBF DIP14?
Мы предлагаем купить Микросхема IRS2110PBF DIP14 в нашем магазине ELECTRONICA.IN.UA. Мы гарантируем качественный сервис и быструю отправку по всей Украине. Доставка в Киев, Харьков, Одесса, Львов. Самовывоз в г. Днепр, ул. Курчатова, 4.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | International Rectifier |
| Страна производитель | Китай |
| Пользовательские характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Корпус | DIP14 |
Спецификация
Информация для заказа
- Цена: 111,70 ₴




