Опис
MOSFET, amp; Драйвери затвора IGBT, верхня та нижня сторони, Infineon
ІС драйверів затвора від Infineon для керування силовими пристроями MOSFET або IGBT у конфігураціях високого та низького рівня.
Технічні параметри
| Конфігурація | half-bridge |
| Тип каналу | незалежний |
| Кількість каналів | 2 |
| Тип керованого затвора | IGBT, N-CH MOSFET |
| Напруга живлення, В | 10…20 |
| Логічна напруга (VIL), В | 6 |
| Логічна напруга (VIH), В | 9.5 |
| Піковий вихідний струм наростання (Source), А | 2.5 |
| Піковий вихідний струм спаду (Sink), А | 2.5 |
| Тип входу | інвертуючий |
| Максимальна напруга зміщення, В | 500 |
| Номінальний час наростання (Rise Time), нс | 25 |
| Номінальний час згасання (Fall Time), нс | 17 |
| Робоча температура, °C | -40…+150(TJ) |
| Корпус | dip-14(0.300 inch) |
| Вага, г | 1.9 |
Докладніше в Datasheet нижче.
Де купити Мікросхема IRS2110PBF DIP14?
Ми пропонуємо купити Мікросхема IRS2110PBF DIP14 у нашому магазині ELECTRONICA.IN.UA. Ми гарантуємо якісний сервіс та швидке відправлення по всій Україні. Доставка у Київ, Харків, Одеса, Львів. Самовивіз у м. Дніпро, вул. Курчатова, 4.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Країна виробник | Китай |
| Користувальницькі характеристики | |
| Стан | Нове |
| Корпус | DIP14 |
Специфікація
Інформація для замовлення
- Ціна: 111,70 ₴




